おすすめ商品
1600
°C+ シックパウダー
耐摩耗性が80％向上し、最適なパフォーマンスを実現します。
99.99999% 超高純度炭化ケイ素（SiC）粉末
1600℃までの極限高温環境向けに設計された本材料は、実験室検証により以下の卓越した性能を確認：熱伝導率180 W/(m·K)（従来材料の3倍）、耐摩耗性80%向上、重要部品の寿命4,000時間超。航空エンジン用熱遮断コーティング（耐温限界35%向上で2160℃対応）、半導体ウェハー製造（欠陥率22%低減）、連続鋳造用冶金金型（メンテナンス間隔2.5倍/7,000炉延長）などに応用され、生産ダウンタイムを大幅に削減。フォーチュン500企業による実証で稼働故障率47%低減を達成し、高温・高摩耗環境における熱伝導性、耐摩耗性、長期安定性を兼ね備えた業界基準ソリューションとして確立。
1600
°C+ シックパウダー
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99.99999% 超高純度炭化ケイ素（SiC）粉末
1600℃までの極限高温環境向けに設計された本材料は、実験室検証により以下の卓越した性能を確認：熱伝導率180 W/(m·K)（従来材料の3倍）、耐摩耗性80%向上、重要部品の寿命4,000時間超。航空エンジン用熱遮断コーティング（耐温限界35%向上で2160℃対応）、半導体ウェハー製造（欠陥率22%低減）、連続鋳造用冶金金型（メンテナンス間隔2.5倍/7,000炉延長）などに応用され、生産ダウンタイムを大幅に削減。フォーチュン500企業による実証で稼働故障率47%低減を達成し、高温・高摩耗環境における熱伝導性、耐摩耗性、長期安定性を兼ね備えた業界基準ソリューションとして確立。
結晶成長装置
正確で効率的、そして信頼性の高い結晶成長装置
2400℃の超高温と10-³Paの超高真空を核心とし、±5℃の精密温度制御と±5Paの低圧動的平衡システムを備えた当社の結晶成長炉は、従来のプロセスの限界を突破し、半導体と光電子材料に原子レベルの正確な成長環境を提供します。1サイクルは9日間で30mmのインゴット成長を完了することができ、高効率、75％以上の歩留まり率、年間8,000時間以上の装置の安定運転、世界の科学技術大手15社に最先端材料の大量生産を達成する力を与え、ミリメートルの一貫性とナノ純度が精密製造を再定義しました - 各原子の完璧な配置の制御。
当社を選ぶ理由
Taoxiaは、中国におけるシリコンカーバイド材料および単結晶成長装置の大手メーカーです。きめ細やかなサービスと優れた製品品質により、当社の製品は今日のお客様の絶えず変化するニーズにお応えします。
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顧客レビュー
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新世代の太陽光発電用切断刃の開発にあたり、Taoxiaのエンジニアは粒度分布最適化サービスを無償で提供してくれました。これにより、ワイヤーソー消耗品のコストを18%削減できました。特許取得済みの酸化防止包装により、海上輸送60日後でも凝集ゼロを保証しています。技術的な対応スピードは、現地サプライヤーを凌駕しています。
佐藤健二
半導体材料サプライヤーとして、炭化ケイ素（SiC）の純度には極めて厳しい要求があります。TaoxiaのSiC粉末のバッチ安定性は期待をはるかに上回り、99.999%の純度試験ではエラーゼロでした。さらに驚くべきことに、緊急注文も48時間以内に納品され、生産ラインの材料不足の危機を解決してくれました。精密製造部門の同僚の皆様に強くお勧めします。
アイシャ・アル・ファルシ
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